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陶瓷与金属封接,最大难点是陶瓷和金属的热膨胀系数相差较大,使得连接完成后的封接界面处会产生较大残余应力,这不仅...
随着集成电路成为了国家战略性产业,很多半导体材料得以被研究开发,氮化铝(AlN)无疑是其中最具有发展前景的材料...
LTCC技术以其特有的技术特点广泛应用于射频电路系统,本文针对LTCC工艺中关键工艺问题开展研究,详细分析了影...
在电子封装过程中,陶瓷基板是关键器件,降低陶瓷基板的不良率对提高电子器件质量具有重大的意义,但是陶瓷基板性能检...
陶瓷材料因其密度较小,热导率较高,膨胀系数匹配,是一种综合性能较好的封装材料。由于陶瓷封装对可靠性、气密性、高...
低温共烧陶瓷(low temperature co-fired ceramic,LTCC)微波多层电路基板具有...
由于电子设备的快速发展,陶瓷电路板逐渐成为新一代集成电路和功率电子模块的理想封装基板。其中,厚膜陶瓷板和薄膜陶...
学界关注较多的是热压烧结的办法,即在制备以SiC为原材料制备陶瓷基板时,在其中添加少量的BeO和B2O3可以增...
陶瓷材料的弯曲强度是金属化陶瓷基板的一项重要性能,因为它在装配过程中影响到基板的可靠性和强度。弯曲强度通常表征...
氮化铝陶瓷具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点,是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料...