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氮化硅的双层钝化减反射膜比单层减反射膜对比效果氮化硅陶瓷的应用随...
dpc覆铜陶瓷基板和amb活性金属钎焊载板的区别amb活性金属钎焊载板通常是采用氮化铝陶瓷基或者氮化硅陶瓷基、...
氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比差异氮化硅基板、氮化铝基板、氧化铝基板都是陶瓷基板,在散热性、绝缘性、导热性...
碳化硅基和AlN基覆铜板差异特斯拉在 电驱主逆变器采用的是意法半导体供应的650V SiC MOSFET器件,...
AMB陶瓷覆铜基板经过活性钎焊工艺制作,铜层的附着力也叫结合力通常是用剥离强度来体现的。那么AMB陶瓷覆铜基板...
半导体发展越来越迅速,随着半导体及集成电路制程设备和制程工艺的发展,传统的以有机高分子材料和阳极氧化层为电介质...
Amb陶瓷基板热循环性好、导热率高、金属层与陶瓷的结合力更强,和DBC陶瓷基板相比具备更好的结合力,尤其是热循...
电子器件的封装对于电子技术的应用至关重要,封装不仅起着保护芯片和增强导热性能的作用,而且还是沟通芯片内部世界与...
IGBT高功率、高电压、发热量高,对封装材要求更高;IGBT是新能源汽车的核心器件,以往IGBT除了金属化层的...
陶瓷基板具有优异的热性能、微波性能、力学性能以及可靠性高等优点,作为电子元器件在高频开关电源、半导体、IGBT...