在目前的陶瓷基板行业，日本占据全球绝大市场份额。在关键材料方面，氮化铝、氮化硅粉体仍依赖进口，大部分市场份额被日本企业占据。此外，用于金属化工艺的铜箔，国内尚无企业能够生产替代，完全依赖进口。
陶瓷粉体、陶瓷裸片和陶瓷基板三个环节均有较高的工艺壁垒，从工艺难度上:粉体制备>陶瓷裸片制备>陶瓷基板制备。国内陶瓷基板行业起步较晚，目前多数企业仅具备粉体、裸片、基板中某一环节的生产能力，导致整体产业链较为零散。目前国内虽有上市公司涉及陶瓷基板业务，但基板业务营收占比较小，发展还处于较为初级阶段。整体来看，陶瓷基板行业壁垒主要体现在两个方面。一是工艺壁垒，二是下游客户认证壁垒，企业若想获得高质量的发展，突破两大壁垒势在必行。
由于陶瓷材料多为共价晶体，有些不易产生变形且经常发生脆性断裂，需要先制备出适合用于金属化的晶体相。目前常用的陶瓷基板粉体包括氧化铝、氮化铝、氮化硅、氧化铍等。其中BeO粉体因具有毒性逐步退出历史舞台。在粉体制备层面，产业化主要面临以下难点：（1）原料中的氧会严重影响晶体质量和性质，成为降低材料热导率的主要因素。为此，需要选用低氧含量的高品质氧化铝粉体原料，同时合理选择烧结助剂，促进氧原子向坯体外迁移，尽可能降低烧结基板中的氧含量。（2）目前市售AlN粉体的纯度普遍不高，主要是容易存在硅、钙、铁、钠、钾等五种杂质。杂质的存在影响粉体颜色及电学性能。
（3）粒径影响粉体的烧结活性和烧结质量。故而要求粉体颗粒具有高的球形度，粒径分布呈单峰正态分布且尽可能窄。粉体颗粒度越均匀，烧结均匀性也越高。各粉体制备基片的工艺大体一致，在从粉体到基片的过程中难度最大的是在烧结这一道工艺，主要技术壁垒体现在：（1）烧结助剂的选择与用量。相同工艺下，添加不同种类、不同用量的烧结助剂对粉体热导率均有不同影响。因此烧结助剂的选择不仅是需要反复实验来证实合适的方案，还需要结合后续的工艺来全局考虑。（2）反应条件。以制备氮化硅粉体为例，需要通过一定的气流气压将其中的氧气保持在较低水平、氮气保持在较高水平，同时还需将CO气体排除，故对设备的气场控制成为烧结产物是否达标的决定因素。目前，制备陶瓷裸片产业化应用最为成熟的是流延成型法。该工艺限制因素较多，有机添加剂的含量往往是由经验确定，而不是由发生在颗粒表面的物理化学过程和它们之间的相互作用计算得到。陶瓷薄片对环境变量非常敏感，过程中变量的改变往往影响产品性能。此外，陶瓷薄片的厚度不易控制，应仔细分析影响陶瓷薄片厚度的因素，可以采取有限元模拟等手段，制备出厚度均匀、质量优异的薄片。金属化机理涉及到化学和物理反应、物质的塑性流动、颗粒重排等。各种物质在不同烧结阶段中其原子或分子发生扩散迁移，重新排列后实现金属化层的致密化。目前主流的金属化工艺包含DPC、DBC、AMB、LTCC/HTCC。从不同的金属化工艺来看，日本京瓷在主流陶瓷基板技术应用上占绝对优势，占据全球38.4%的市场份额。其它国外企业如德国贺利士、美国罗杰斯也在全球陶瓷基板领域占据重要位置。国内企业方面，富乐华、同欣电子等均实现了在主流陶瓷基板技术上的全覆盖。（1）陶瓷与金属热膨胀系数相差太大，不匹配导致的热应力问题；（2）金属与接触面共键结晶化过程中带来的氧含量问题；（3）陶瓷本身的特性，导致金属与陶瓷连接难度较高，钎料的选择和制备很重要。陶瓷基板用于封装工艺中，在器件封装完成后如发生故障一般无法返修，只能对整个器件进行更换，因此下游客户对于陶瓷基板的选用和认证谨慎而严苛。尤其体现在汽车及军工领域，其对陶瓷基板的抗老化性能、耐极端环境能力和强度性能的测试需进行数千小时，周期长达半年至1年。
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