在追求更高性能、更小体积、更强可靠性的现代电子设备内部,隐藏着一类至关重要的核心组件——陶瓷基板。它不仅是电路的物理承载平台,更是实现高效散热、稳定绝缘和精密连接的关键。陶瓷基板完美融合了先进陶瓷材料与精密加工技术,凭借其卓越的导热性、优异的电气绝缘、精准的线路成型能力以及与半导体芯片匹配的热膨胀系数,成为高端功率电子、光电子及射频器件不可或缺的基础材料。
在众多陶瓷电路板技术中,DPC(直接镀铜) 与 DBC(直接覆铜) 是最具代表性的两种主流工艺。它们虽然目标一致,但实现路径和特性却各有千秋。下面由深圳金瑞欣小编将为您深入剖析这两项技术的核心差异。
一、 技术原理:薄膜沉积与高温键合的本质分野
两者的根本区别在于铜层与陶瓷基底的结合方式,这决定了完全不同的工艺路线。

1. DPC陶瓷基板:精密的“加法”工艺
DPC,即直接镀铜技术,是伴随芯片级封装和高密度集成需求而发展起来的精密工艺。其核心在于“增材制造”思路:
过程:首先在洁净的陶瓷片(如Al?O?、AlN)表面,通过磁控溅射等物理气相沉积技术,形成一层微米级的金属种子层(通常为钛/铜复合层)。钛层作为过渡,增强铜与陶瓷的结合力。随后,通过电镀工艺将铜层加厚至所需尺寸,最后利用光刻和刻蚀技术形成精密电路图形。
特点:该工艺全程在低温(<300℃) 下进行,避免了高温对材料的热应力损伤。其优势在于能够实现极高的线路精度(线宽/间距可达20-30微米级别)和极佳的表面平整度,非常适合对对准精度要求苛刻的微型化器件。

2. DBC陶瓷基板:牢固的“化学键合”工艺
DBC,或称直接覆铜技术,是一种经典的高温键合工艺,其核心在于铜与陶瓷之间的化学冶金结合。
过程:将一定厚度的氧含量可控的铜箔,与陶瓷基片(Al?O?或AlN)在严格控制的高温(约1065-1083℃) 和保护性气氛中紧密接触。在此温度下,铜与氧形成共晶液相,并与陶瓷表面发生化学反应,生成稳定的过渡化合物(如CuAlO?),从而实现铜层与陶瓷之间牢固的化学键合。键合完成后,再通过蚀刻得到电路图形。
特点:该工艺直接键合厚铜箔(通常为100μm至350μm,即3oz至10oz),因此能提供极强的载流能力、优异的导热路径和极高的结合强度,但线路精度相对受限。
二、 性能与应用场景:精准匹配,各擅胜场
基于不同的工艺原理,DPC与DBC在性能上形成了互补格局,服务于不同的应用场景。
特性 DPC (直接镀铜) DBC (直接覆铜)
核心优势: 高精度、高平整度、低温工艺 高载流、高热导、高可靠性、结合强度大
线路精度: 极精细(可达20-30μm),适合高密度互连 较常规(通常>100μm),适合功率线路
铜层厚度: 相对较薄,通过电镀控制,一般较薄 非常厚(标准厚度可选),利于大电流
工艺温度: 低温(<300℃),热应力小 高温(>1065℃),工艺要求苛刻
结合强度: 良好(依赖过渡层),适用于多数场合 极强(化学冶金结合),抗热冲击性优
主要缺点: 厚铜能力相对有限;电镀环节需环保处理 线路精细度有限; 高温过程可能引入微孔;成本较高
典型应用领域: 激光器(LD)封装、光通信模块、微波器件、高精度传感器、芯片级封装 IGBT/IPM功率模块、大功率LED、聚光光伏(CPV)、新能源汽车电驱、航天电源。
简而言之,DPC是“精细的画家”,擅长在陶瓷上描绘精密的电路,为高频、微型化器件提供卓越的平台;而DBC是“强健的铸造师”,擅长构建坚固、耐用的厚铜电路,为高功率、大电流应用提供可靠的支撑。
在选择时,工程师需根据产品的核心诉求进行权衡:若追求极致精度、微型化和高频性能,DPC是更优选择;若强调大电流承载、长期可靠性与极限散热,DBC则不可替代。随着技术的融合与发展,诸如结合两者优势的 AMB(活性金属钎焊) 等新技术也在不断涌现,持续推动着电子设备向更高性能、更小尺寸、更可靠的方向迈进。
深圳市金瑞欣特种电路技术有限公司,位于深圳宝安,主要生产经营:氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板、陶瓷电路板、陶瓷pcb、陶瓷线路板、陶瓷覆铜基板、陶瓷基板pcb、DPC陶瓷基板、DBC陶瓷基板等。有需求的话,欢迎联系我们。


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