陶瓷覆铜基板剥离强度测试与性能分析

AMB陶瓷覆铜基板作为一种高性能的电子封装材料，其铜层与陶瓷基板之间的结合强度是衡量其质量的关键指标之一。剥离强度作为表征结合强度的重要参数，能够直观地反映铜层与陶瓷之间的附着力。下面金瑞欣小编将通过对比AMB陶瓷覆铜基板与DBC陶瓷覆铜基板的剥离强度，深入探讨AMB工艺的优势。

一、AMB陶瓷覆铜基板剥离强度的影响因素

AMB陶瓷覆铜基板的剥离强度受到多种因素的综合影响，其中基板材料、界面强度、制造过程中的残余应力、工艺缺陷以及所承受的载荷等都是重要的影响因素。在这些因素中，界面强度的影响尤为显著。

在不考虑界面奇异点的情况下，垂直于AMB陶瓷覆铜基板界面的正应力被定义为剥离应力，而作用于基板界面的面力则被定义为剪切力。与之相对应的强度分别被称为剥离强度和剪切强度，它们是评价AMB陶瓷覆铜基板强度的重要参数。剥离强度和剪切强度与母材（铜、陶瓷）的强度、制造工艺参数以及界面相晶体组织结构等因素密切相关，因此需要通过试验来准确获得。在行业内，剥离强度常被用作AMB陶瓷覆铜基板性能评价的标准。

二、AMB陶瓷覆铜基板剥离强度测试过程及数据

为了准确评估AMB陶瓷覆铜基板的剥离强度，我们选择了一致的剥离测试设备，并在相同的温度和湿度环境下，对不同材质的AMB陶瓷覆铜基板上的铜箔和铜片与陶瓷的粘接度进行了测试。

测试的环境条件为温度25℃、湿度65%。我们选取了四种不同材质的AMB陶瓷覆铜基板作为测试样品，分别是氮化硅基板（陶瓷厚度0.32mm，双面覆铜0.3mm）、氮化铝基板（陶瓷厚度0.64mm，双面覆铜0.3mm）、ZTA基板（氧化锆增强氧化铝陶瓷，厚度0.32mm，双面覆铜0.3mm）以及氧化铝基板（陶瓷厚度0.38mm，双面覆铜0.3mm）。每种基板均测试了5个样品。测试时，样品铜线条蚀刻宽度为3mm，位移施加速率为50mm/min。测试结果如表1至表3所示。

从测试数据中可以明显看出，AMB陶瓷覆铜基板的剥离强度最低为17.16N/mm，这一数值远高于DBC基板公开的平均剥离强度10N/mm。尽管剥离强度并不能完全代表产品的综合性能，但它至少可以证明，在AMB工艺中，陶瓷与铜的焊接性能、界面致密性以及界面结合强度都优于DBC基板。

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