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高性能陶瓷基板:电子封装领域的核心材料革新

101 2025-07-24

在半导体技术飞速发展的当下,电子封装材料的选择直接影响着器件性能的极限。传统塑料封装因导热性能不足难以满足高功率需求,金属封装又面临绝缘性能的挑战。在这一背景下,陶瓷基板凭借其独特的材料特性,正成为高端电子封装领域不可替代的关键材料,下面由深圳金瑞欣小编来为大家讲解一下:

双面陶瓷板.jpg

陶瓷基板的材料特性与选择

1. 氧化铝基板:性价比之选

氧化铝(Al?O?)基板以其优异的性价比占据市场主导地位。其热导率约30W/(m·K),虽不及新型材料,但凭借出色的机械强度和化学稳定性,在消费电子、照明等领域广泛应用。最新研究表明,通过掺杂微量稀土元素可将其热导率提升15-20%,进一步拓展了应用空间。


2. 氮化铝基板:高导热解决方案

氮化铝(AlN)基板的热导率可达220W/(m·K),是氧化铝的6-8倍。其热膨胀系数(4.5ppm/℃)与硅芯片(4.1ppm/℃)近乎完美匹配,大幅降低了热应力问题。日本企业在高纯度AlN粉体制备方面具有领先优势,但国内厂商如三环集团已实现技术突破。


3. 氮化硅基板:高强耐用的新选择

氮化硅(Si?N?)基板展现出800MPa以上的抗弯强度,是现有陶瓷基板中最高的。其独特的晶界相设计使其兼具优异的导热性(90W/(m·K))和抗热震性,特别适合电动汽车等振动环境下的应用。


先进制备工艺解析

1. DBC技术:功率器件的首选

直接覆铜(DBC)技术通过Cu-O共晶反应在1065-1083℃下实现铜箔与陶瓷的冶金结合。最新进展显示,采用梯度铜层设计可将热阻降低20%,使IGBT模块结温下降15℃。


2. AMB技术:可靠性再升级

活性金属钎焊(AMB)技术使用含Ti/Zr的活性焊料,在800℃左右实现高强度连接。相比DBC,AMB界面结合强度提升3-5倍,特别适合车载功率模块的严苛要求。


3. LTCC技术:高频应用的突破

低温共烧陶瓷(LTCC)技术将烧结温度降至850℃,允许使用银等低电阻导体。通过多层布线设计,可集成被动元件,实现系统级封装,在5G毫米波领域具有独特优势。


应用前景与市场机遇

1. 新能源汽车驱动需求

随着电动汽车普及,功率模块用陶瓷基板市场年增长率超过25%。SiC器件的推广将进一步拉动高性能AlN和Si?N?基板需求。


2. 5G通信带来新机遇

基站功率放大器对散热要求严苛,预计到2026年,5G领域陶瓷基板市场规模将突破20亿美元。


3. 光伏储能潜力巨大

组串式逆变器向大功率发展,陶瓷基板在1500V系统中的应用正在加速。


技术挑战与发展趋势

当前行业面临三大挑战:


成本控制:AlN基板价格是Al?O?的5-8倍


大尺寸化:现有工艺难以稳定生产超过200mm的基板


集成化:如何实现更高密度的三维互连


未来发展方向包括:


新型低温烧结技术


复合基板开发


智能制造工艺


环保材料替代


总结

陶瓷基板技术正处于快速发展期,材料创新与工艺进步正在不断突破性能边界。随着第三代半导体崛起,高性能陶瓷基板将成为电子产业基础材料竞争的新焦点。国内产业链需要加强上游材料研发和装备自主化,才能在这一战略领域掌握主动权,想要更多了解陶瓷线路板的相关问题可以咨询深圳市金瑞欣特种电路技术有限公司,金瑞欣有着多年陶瓷线路板制作经验,成熟DPC和DBC工艺,先进设备、专业团队、快速交期,品质可靠,值得信赖。


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