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碳化硅陶瓷基板的特点、用途和应用

碳化硅陶瓷基板

                                                       碳化硅覆铜陶瓷基板的特点、用途和应用

从二十世界50年代开始,碳化硅纳入固体器件的研究开始,碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性,开始受到人们的关注和研究。如今碳化硅陶瓷基板在很多领域应用广泛,金小编就来阐述一下碳化硅陶瓷基板的特点、用途和应用。

 一,碳化硅覆铜陶瓷陶瓷基板的物料特性和特点

 碳化硅覆铜陶瓷基板本质是一种硅材料,碳化硅有这优越的导热率,决定了其高电流密度的特点。较高的禁带宽度又决定了碳化硅(SiC)陶瓷线路板的的高击穿场强和高工作温度。具体特性如下:

      1,高阻断电压

与Si材料相比,SiC的击穿场强是Si的十倍多,因此使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件的阻断电压比Si器件高很多。

2,耐600℃高温工作

SiC在物理特性上拥有高度稳定的晶体结构,其能带宽度可达2.2eV至3.3eV,几乎是Si材料的两倍以上。因此,SiC所能承受的温度更高,一般而言,使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件所能达到的最大工作温度可到600 C。

3,高频开关速度

SiC的热导系数几乎是Si材料的2.5倍,饱和电子漂移率是Si的2倍,所以S使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件能在更高的频率下工作。

4,损耗低

一般而言,半导体器件的导通损耗与其击穿场强成反比,故在相似的功率等级下,SiC器件的导通损耗比Si器件小很多。且使用碳化硅(SiC)陶瓷线路板的功率器件导通损耗对温度的依存度很小,随温度的变化也很小,这与传统的Si器件也有很大差别。

正是因为些优点,在相同的功率等级下,设备中功率器件的数量、散热器的体积、滤波元件体积都能大大减小,同时效率也有大幅度的提升。

  二,碳化硅陶瓷基板的用途和应用

碳化硅陶瓷基板的特点来看,主要的核心优势是耐高温、耐高压、耐磨损、低损耗、高频率工作。因此用于高散热、高导热、大电流、大电压、需要高频率运作的产品方面,有这不可估量的用途。

我国是全球最大的半导体消费国,随着第三代半导体的发展,国内的半导体生产增长迅猛。2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元,同比增长15.77%。2020年H1,中国集成电路产业销售额为3539亿元,同比增长16.1%。碳化硅陶瓷基板的市场需求也不断增长。如今碳化硅陶瓷基板不仅在半导体领域广泛应用,另外碳化硅陶瓷基板在高铁、太阳能光伏、风能、电力输送、UPS不间断电源等电力电子领域也应用广泛。更多碳化硅陶瓷基板相关问题可以咨询金瑞欣特种电路,金瑞欣做碳化硅陶瓷覆铜板、铜层结合力高,品质可靠。

 

 

 

 


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