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高导热氮化铝陶瓷基板三大金属化工艺

导热氮化铝陶瓷基板

                                      高导热氮化铝陶瓷基板三大金属化工艺

高导热氮化铝陶瓷基板金属化后具备更好的电气性能,可以通电和导电、散热,同时具备很好的绝缘性和较低的热膨胀系数、低的介质损耗等。那么高导热氮化铝陶瓷基板金属化工艺是哪些工艺可以实现?

一,DPC工艺

DPC亦称为直接镀铜基板,首先将陶瓷基板做前处理清洁,利用薄膜专业制造技术-真空镀膜方式于陶瓷基板上溅镀结合于铜金属复合层,接着以黄光微影之光阻被覆曝光、显影、蚀刻、去膜工艺完成线路制作,最后再以电镀/化学镀沉积方式增加线路的厚度,待光阻移除后即完成金属化线路制作。

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    二,DBC工艺

        DBC陶瓷基板是陶瓷板制作工艺中按工艺属性分来的陶瓷电路板,DBC就直接覆铜,是一种陶瓷表面金属化技术,它直接将陶瓷(三氧化二铝、氧化铍、AIN等)和基板铜相接。

二,AMB工艺

AMB也叫活性金属钎焊(Active Metal Bonding,AMB)覆铜技术,顾名思义,

依靠活性金属钎料实现氮化铝与无氧铜的高温冶金结合,以结合强度高、冷热循环可靠性好等优点而备受关注,应用前景极为广阔。但同时也应该看到,AMB工艺的可靠性很大程度上取决于活性钎料成分、钎焊工艺、钎焊层组织结构等诸多关键因素,工艺难度大,而且还要兼顾成本方面的考虑。依据目前的市场调研结果来看,氮化铝陶瓷AMB覆铜板国内相关研发机构(生产企业)与国外竞争对手存在较大的技术差距。

      氮化铝陶瓷基板可以根据客户的要求做DPC、DBC、AMB工艺,不同工艺特性不同,更多氮化铝陶瓷基板金属化的疑问可以咨询金瑞欣特种电路。

 

 

   


深圳市金瑞欣特种电路技术有限公司

金瑞欣——专业的陶瓷电路板制造商

通过公司研发团队的不懈努力,现已成功研发微小孔板、高精密板、难度板、微型化板、围坝板等,具备DPC、DBC、HTCC、LTCC等多种陶瓷生产技术,以便为更多需求的客户服务,开拓列广泛的市场。

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