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氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比差异

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                                                               氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比差异

 氮化硅基板、氮化铝基板、氧化铝基板都是陶瓷基板,在散热性、绝缘性、导热性都很不错,在各大需要散热、绝缘、高频等领域产品发挥了非常重要的左右,尤其是对汽车电子、消费电子、电力、通讯、交通轨道、医疗、半导体、LED等领域作用非常大,那么氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板对比有什么差异呢?

 一,首先是氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板材料和性能不同

amb氮化硅陶瓷基板 

       可以看出氮化铝基板导热性最突出;氮化硅陶瓷基板高强度要更高,更耐压;氧化铝陶瓷基板介电常数最高,氮化硅基板介电损耗最低,热膨胀系数氮化硅基最低。

 二,氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板市场应用不同

       基于氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板特性不同,应用领域有所不同,氮化铝基板导热性非常高比较适应与高导热、高绝缘性和大电流产品领域,比如高功率导热器件、led大功率模组、激光领域,电源产品等等;氮化硅基板一方面高强度、导热良好、热膨胀系数与硅接近,耐压性强,被应用到IGBT载板、电力、第三代半导体、汽车逆变器,减速器等电子等产品领域;氧化铝陶瓷基板导热性和绝缘性也都比较好,性价比最高,在传感器、制冷片、导流片、LED照明等散热和导热有要求的产品领域,可以有效的弥补过去铝基板和铜基板的不足,同时节省成本。

  三,氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板制作工艺略有不同

 材料不同,性能不同了,制作工艺有所不同。氧化铝、氮化铝、都可以采用DPC、DBC制作工艺,但是采用AMB工艺适用氮化硅、氮化铝、增韧氧化铝陶瓷基板;LTCC和HTCC工艺多采用氮化铝陶瓷基板来做,是因为氮化铝陶瓷基板耐性和导热性突出,经过LTCC工艺后适用于高频通讯产品,氮化铝陶瓷基板经过HTCC高温烧结工艺导热性更强。

以上是小编分享的关于氮化硅基板与氮化铝、氧化铝基板的差异,更多陶瓷基板相关问题可以咨询金瑞欣特种电路,金瑞欣陶瓷电路板制作工艺成熟,是值得信赖的陶瓷基板电路板生产厂家。

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