[常见问题]碳化硅基和AlN基覆铜板差异

碳化硅基和AlN基覆铜板差异特斯拉在 电驱主逆变器采用的是意法半导体供应的650V SiC MOSFET器件，这在2018是风向标实践。SiC基板有什么优势和AIN基覆铜板有什么差异？一，碳化硅基覆铜板的优越性以及与AIN基覆铜板的特性对比碳化硅SiC是高温、高频、抗辐射、大功率应用场合下极为理想的半导体材料。由于碳化硅功率器件可显著降低电子设备的能耗，因此碳化硅器件也被誉为带动“新能源革命”的“绿色能源器件”。碳化硅SiC相对AIN基覆铜板的优异特性：如图对比碳化硅的禁带宽度大约为 3.2eV，硅的宽带宽度为 1.12eV，碳化硅的禁带宽度大约为硅的3倍数，这说明碳化硅的耐高压性能显著好于硅材料。此外，导热率为硅的4-5倍；电子饱和漂移速率为硅的2倍。这些特性将使得碳化硅特别适于制造

2022-01-17 http://www.jinruixinpcb.com/Article/tanhuaguijiheAlNjifu.html