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搜索结果

[行业动态]高功率电子器件散热的关键：氮化铝与氮化硅陶瓷基板

随着电子芯片技术的飞速发展，其综合性能不断提升，尺寸却日益微型化。然而，这一进步也带来了新的挑战——芯片工作时产生的热流密度急剧增加。对于电子器件而言，温度每升高10℃，其有效寿命可能会降低30%到50%

2025-07-03 https://www.jinruixinpcb.com/Article/gaogonglvdianziqijia.html
[行业动态]氮化铝陶瓷基板：破解高热导率散热材料的制备难题

在半导体功率器件、5G通信和新能源汽车等高新科技领域，高效散热材料的需求日益迫切。而氮化铝（AlN）粉体及其陶瓷基板，凭借其卓越的高热导率等特性，正逐渐成为破解这一难题的“金钥匙”

2025-06-28 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaocijibanpo.html
[行业动态]LED散热基板的三大类型及其发展趋势

在当今的LED产业中，提升发光效率的关键在于有效降低LED晶粒散热基板的热阻。散热基板的性能直接影响着LED产品的发光效率和使用寿命。目前，LED陶瓷基板主要分为三种类型：低温共烧多层陶瓷、厚膜陶瓷基板和薄膜陶瓷基板。

2025-06-14 https://www.jinruixinpcb.com/Article/LEDsanrejibandesanda.html
[行业动态]氮化铝基板加工：技术与应用的深度剖析

在高端电子器件和功率模块快速发展的今天，散热问题已成为制约设备性能提升的关键瓶颈。氮化铝（AlN）陶瓷基板凭借其卓越的热导率和优异的热-机-电综合性能，正逐渐成为高功率密度电子封装的首选材料。

2025-06-05 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvjibanjiagong.html
[行业动态]氮化铝陶瓷基板加工技术的瓶颈

氮化铝陶瓷具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。根据360 research reports数据预测，到2026年，全球AlN陶瓷基板市场规模预计将从2020年的6100万美元达到1.073亿美元，2021-2026年的复合年增长率为9.8%，应用市场前景广阔。

2024-03-21 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualv.html
[行业动态]AMB陶瓷基板应用介绍

在新能源汽车市场暴增刺激下，碳化硅模块上车的进程大幅超过市场预期，AMB陶瓷基板优异导热和抗弯性能已经成为SiC芯片最佳封装材料。根据市场研究机构的数据显示，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模从2016年的约10亿美元增长到2020年的约15亿美元，年复合增长率为7.5%左右。预计到2025年，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模将达到约20亿美元，年复合增长率为5.5%左右。

2024-01-12 https://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibanyingyon.html
[行业动态]6种常见的陶瓷与金属的连接方法，谁能称霸半导体封装市场？

陶瓷与金属封接，最大难点是陶瓷和金属的热膨胀系数相差较大，使得连接完成后的封接界面处会产生较大残余应力，这不仅会降低接头强度，也会影响金属对陶瓷表面的润湿效果。

2024-01-10 https://www.jinruixinpcb.com/Article/6zhongchangjiandetao.html
[行业动态]氮化铝陶瓷基板加工技术的瓶颈：超精密加工技术

氮化铝陶瓷具有导热效率高、力学性能好、耐腐蚀、电性能优、可焊接等特点，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。根据360 research reports数据预测，到2026年，全球AlN陶瓷基板市场规模预计将从2020年的6100万美元达到1.073亿美元，2021-2026年的复合年增长率为9.8%，应用市场前景广阔。

2023-12-13 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvtaoci.html
[行业动态]AMB活性金属钎焊法，陶瓷与金属的完美结合

相比于传统的DBC基板，采用AMB工艺制备的陶瓷基板，不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势；此外，因其加工过程能在一次升温中完成，操作简便、时间周期短、封接性能好并且对陶瓷的适用范围广，所以该工艺在国内外发展较快，成为了电子器件中常用的一种方法。

2023-12-11 https://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行业动态]陶瓷基板—半导体制冷的关键部件

半导体制冷即上表中的热电制冷技术（TEC），是一种基于帕尔帖效应原理的制冷技术，即利用当电流通过两种特定材料时会吸收和放出热量的原理进行制冷。因其主要部件多为热电能量转换效率高的半导体材料，所以又被称为半导体制冷（该名字并非是因为它适用于半导体芯片散热，而是因为该技术需采用半导体材料完成能量转换而散热）。

2023-11-24 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanbandaotizh.html
[常见问题]影响氮化铝陶瓷基板的热导率的因素有哪些？

AlN是一种结构稳定且具有六方纤锌矿结构，无其他同质异型物存在的共价键型化合物。它的晶体结构是由铝原子和临近的氮原子歧变产生的AlN4四面体为结构单元；空间群为P63mc，属于六方晶系。

2023-11-20 https://www.jinruixinpcb.com/Article/yingxiangdanhualvtao.html
[行业动态]一文搞懂陶瓷基板DPC，AMB，HTCC，DBC等工艺技术

首先了解陶瓷基板与陶瓷基片的区别，特性优势，陶瓷基板制造五大工艺知识，以及工艺特点进行分析，行业展望，最后我们学习一下华科大对陶瓷基板科研知识案例分享

2023-11-06 https://www.jinruixinpcb.com/Article/yiwengaodongtaocijib.html
[行业动态]陶瓷基板的市场规模和应用发展

目前，国内常用陶瓷基板材料主要为Al2O3、AlN和Si3N4。无论哪种材料的陶瓷基板，在烧结成型之后，需对其表面实施金属化，然后通过影像转移的方法完成表面图形的制作，以实现陶瓷基板的电气连接性能。金属化陶瓷基板按照工艺主要分为DPC、DBC、AMB、LTCC、HTCC等基板。氧化铝陶瓷基板主要采用DBC、DPC工艺，氮化铝陶瓷基板主要采用DBC和AMB工艺，氮化硅陶瓷基板主要采用AMB工艺

2023-10-27 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanpcb.html
[行业动态]陶瓷基板的市场到底有多大？十亿？百亿？

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

2023-10-06 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibansc.html
[行业动态]电子封装陶瓷基片材料的种类

现代微电子技术发展异常迅速，电子系统及设备向大规模集成化、微型化、高效率、高可靠性等方向发展。电子系统集成度的提高将导致功率密度升高，以及电子元件和系统整体工作产生的热量增加，因此，有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题。电子封装基片材料作为一种底座电子元件，主要为电子元器件及其相互联线提供机械承载支撑、气密性保护和促进电气设备的散热。

2023-10-04 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijipiandezhonglei.html
[行业动态]IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究

针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40 ~150）℃热循环达到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 https://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行业动态]2023年AMB陶瓷基板实力企业榜单

近几年来，在新能源汽车市场暴增刺激下，碳化硅模块上车的进程大幅超过市场预期，AMB陶瓷基板优异导热和抗弯性能已经成为SiC芯片最佳封装材料。根据市场研究机构的数据显示，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模从2016年的约10亿美元增长到2020年的约15亿美元，年复合增长率为7.5%左右。预计到2025年，全球AMB覆铜陶瓷基板市场规模将达到约20亿美元，年复合增长率为5.5%左右。

2023-07-24 https://www.jinruixinpcb.com/Article/2023nianAMBtaocijiba.html
[行业动态]氮化铝陶瓷基板的金属化工艺

氮化铝陶瓷具有优异的电性能和热性能，被认为是最具有前途的高热导陶瓷基片材料。为了封装结构的密封，元器件搭载及输入、输出端子的连接等目的，氮化铝陶瓷基板表面及内部均需要金属化。

2023-07-20 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhulvtaocijiban.html
[行业动态]陶瓷基板的市场到底有多大？

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

2023-07-10 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibandeshichang.html
[行业动态]陶瓷基板制备方法

陶瓷金属化技术起源于20世纪初期的德国，1935年德国西门子公司Vatter第一次采用陶瓷金属化技术并将产品成功实际应用到真空电子器件中，1956年Mo-Mn法诞生，此法广泛适用于电子工业中的氧化铝陶瓷与金属连接。对于今天，大功率器件逐渐发展，陶瓷基板又因其优良的性能成为当今电子器件基板及封装材料的主流，因此，实现陶瓷与金属之间的可靠连接是推进陶瓷材料应用的关键。

2023-06-21 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanzhibeifang.html

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