搜索资讯 - 金瑞欣特种电路

专注陶瓷电路板研发生产

样板、中小批量陶瓷pcb线路板，24小时加急定制

全国定制热线

19925183597

当前位置：首页 »全站搜索 » 搜索：氮化铝基板

搜索结果

[行业动态]电子陶瓷基板：高端电子器件的核心基石与全维性能保障

在现代电子工业向高频、高功率、高可靠性发展的进程中，电子陶瓷基板作为不可或缺的关键基础材料，正发挥着日益重要的核心作用。它不仅是电路的承载平台，更是实现高效散热、可靠绝缘和稳定结构的综合性解决方案

2025-11-29 https://www.jinruixinpcb.com/Article/dianzitaocijibangaod.html
[行业动态]HTCC陶瓷基板技术解析：高温工艺如何成就卓越可靠性

在5G通信、新能源汽车、航空航天等高端制造领域，电子装备正面临着功率密度持续攀升、运行环境日益严苛的双重挑战。在此背景下，HTCC陶瓷基板凭借其独特的高温共烧工艺，展现出卓越的综合性能，成为保障关键设备长效稳定运行的核心材料。历经1500-1600℃的“烈火淬炼”，HTCC奠定了其在极端工况下无可替代的可靠性地位

2025-11-22 https://www.jinruixinpcb.com/Article/HTCCtaocijibanjishuj.html
[行业动态]第三代半导体崛起催生封装材料革命：五大陶瓷基板谁主沉浮？

在新能源汽车、5G通信和人工智能的推动下，功率半导体正经历前所未有的技术变革。SiC和GaN等第三代半导体器件的高频、高压特性，对封装基板提出了更严苛的要求——既要承受超高功率密度，又要确保信号完整性。

2025-08-06 https://www.jinruixinpcb.com/Article/disandaibandaotiqicu.html
[行业动态]从DBC到AMB：氮化铝基板金属化技术演进与未来趋势

氮化铝（AlN）陶瓷作为一种新型电子封装材料，凭借其优异的热导率（理论值高达320W/(m·K)）、良好的绝缘性能以及与半导体材料相匹配的热膨胀系数，已成为高功率电子器件散热基板的首选材料。然而，AlN陶瓷的强共价键特性导致其与金属材料的浸润性较差，这给金属化工艺带来了巨大挑战。

2025-08-02 https://www.jinruixinpcb.com/Article/congDBCdaoAMBdanhual.html
[行业动态]高性能陶瓷基板：电子封装领域的核心材料革新

在半导体技术飞速发展的当下，电子封装材料的选择直接影响着器件性能的极限。传统塑料封装因导热性能不足难以满足高功率需求，金属封装又面临绝缘性能的挑战

2025-07-24 https://www.jinruixinpcb.com/Article/gaoxingnengtaocijiba.html
[行业动态]DPC陶瓷基板：高精密电子封装的核心材料

在电子器件不断向高性能、小型化、高可靠性发展的趋势下，陶瓷基板因其优异的导热性、绝缘性及热稳定性，成为大功率电子封装的理想选择。其中，直接镀铜陶瓷基板（DPC, Direct Plated Copper）凭借其高精度线路、优异的散热能力以及可垂直互连等优势，在LED、激光雷达、半导体激光器、射频器件等领域占据重要地位

2025-07-19 https://www.jinruixinpcb.com/Article/DPCtaocijibangaojing.html
[行业动态]陶瓷覆铜基板剥离强度测试与性能分析

AMB陶瓷覆铜基板作为一种高性能的电子封装材料，其铜层与陶瓷基板之间的结合强度是衡量其质量的关键指标之一。剥离强度作为表征结合强度的重要参数，能够直观地反映铜层与陶瓷之间的附着力。

2025-06-10 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocifutongjibanbaol.html
[行业动态]氮化铝基板加工：技术与应用的深度剖析

在高端电子器件和功率模块快速发展的今天，散热问题已成为制约设备性能提升的关键瓶颈。氮化铝（AlN）陶瓷基板凭借其卓越的热导率和优异的热-机-电综合性能，正逐渐成为高功率密度电子封装的首选材料。

2025-06-05 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvjibanjiagong.html
[行业动态]DPC陶瓷基板Micro TEC：多领域高精度温控的实践与探索

在5G通信、人工智能与自动驾驶技术飞速发展的今天，高速光模块、激光雷达等核心器件对温度稳定性的要求已逼近物理极限。传统温控方案难以满足毫米级精密器件的需求，而基于DPC（Direct Plating Copper）陶瓷基板的Micro TEC（微型热电制冷器）凭借其卓越的材料特性与先进的加工工艺，正在成为高精度温控领域的颠覆性技术。

2025-06-03 https://www.jinruixinpcb.com/Article/DPCtaocijibanMicroTE.html
[行业动态]AMB活性金属钎焊法，陶瓷与金属的完美结合

相比于传统的DBC基板，采用AMB工艺制备的陶瓷基板，不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势；此外，因其加工过程能在一次升温中完成，操作简便、时间周期短、封接性能好并且对陶瓷的适用范围广，所以该工艺在国内外发展较快，成为了电子器件中常用的一种方法。

2023-12-11 https://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-11-15 https://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijiband.html
[行业动态]陶瓷基板用于电子封装的应用指南

在电子封装基板领域，有几种常见类型，每种都具有其独特的优点和局限性。塑料、金属和陶瓷基板是最常见的竞争者。然而，在这份全面指南中，我们将专注于陶瓷基板的卓越特性和优势。我们将探讨它们卓越的绝缘性能、低介电常数、低热膨胀系数、高热导率、出色的气密性和化学稳定性。陶瓷基板非常适用于高可靠性、高频率、高温抗性和气密性产品封装，特别是在航空航天、军事和其他对要求严格的行业中。

2023-10-11 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanyongyudian.html
[行业动态]陶瓷基板的市场到底有多大？十亿？百亿？

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

2023-10-06 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibansc.html
[行业动态]IGBT模块中不同金属化方法覆铜氮化铝陶瓷基板的可靠性研究

针对氮化铝陶瓷基板的IGBT应用展开分析，着重对不同金属化方法制备的覆铜AlN基板进行可靠性进行研究。通过对比厚膜法、薄膜法、直接覆铜法和活性金属钎焊法金属化AlN基板的剥离强度、热循环、功率循环，分析结果可知，活性金属钎焊法制备的AlN覆铜基板优于其他工艺基板，剥离强度25 MPa，（-40 ~150）℃热循环达到1 500次，能耐1 200 A/3.3 kV功率循环测试7万次，满足IGBT模块对陶瓷基板可靠性需求。

2023-09-15 https://www.jinruixinpcb.com/Article/IGBTmokuaizhongbuton.html
[行业动态]Si3N4-AMB陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，Si3N4-AMB陶瓷基板备受瞩目。

2023-08-28 https://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4-AMBtaocijibanz.html
[行业动态]一文了解 IGBT 模块封装用陶瓷衬板技术

IGBT 是电力电子变换中的核心元器件，以低电压控制大功率电路的断开与导通，广泛应用于轨道交通、新能源汽车、军工航天、工业机器等领域。随着我国高铁、航空航天、混合动力汽车的飞速发展， IGBT 模块需要更高的可靠性、更快的开关转换速度、更低的能量损耗等，因此，需要高可靠性的封装技术使芯片的优势能够完全发挥出来。其中，IGBT 封装用散热基板在封装时起着机械互连和电气导通的作用，是高可靠性封装中至关重要的环节。

2023-08-14 https://www.jinruixinpcb.com/Article/yiwenliaojieIGBTmoku.html
[行业动态]陶瓷基板的市场到底有多大？

随着电子封装技术逐渐向着小型化、高密度、多功能和高可靠性方向发展，电子系统的功率密度随之增加，散热问题越来越严重。对于电子器件而言，通常温度每升高10°C，器件有效寿命就降低30%~50%。因此，选用合适的封装材料与工艺、提高器件散热能力就成为发展电子器件的技术瓶颈。

2023-07-10 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibandeshichang.html
[行业动态]大功率IGBT功率模块用氮化铝覆铜基板

随着高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等行业发展，对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。

2023-04-17 https://www.jinruixinpcb.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行业动态]氮化铝（AlN?）陶瓷基板的制备工艺

氮化铝陶瓷具备优异的综合性能，是近年来受到广泛关注的新一代先进陶瓷，具有高热导率、低介电常数、低介电损耗、优良的电绝缘性，与硅相匹配的热膨胀系数及无毒性等优点，使其成为高密度、大功率和高速集成电路基板和封装的理想材料。

2023-03-31 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhualvAlNtaocijiba.html
[行业动态]AMB Si3N4 陶瓷基板在高功率半导体器件中的应用

功率电子器件在电力存储，电力输送，电动汽车，电力机车等众多工业领域得到越来越广泛的应用。随着功率电子器件本身不断的大功率化和高集成化，芯片在工作过程中将会产生大量的热。如果这些热量不能及时有效地发散出去，功率电子器件的工作性能将会受到影响，严重的话，功率电子器件本身会被破损。这就要求担负绝缘和散热功能的陶瓷基板必须具备卓越的机械性能和导热性能。由于氮化硅（Si3N4）陶瓷的高导热性、抗热震性及在高温中良好的机械性能，AMB Si3N4陶瓷基板备受瞩目。1、Si3N4 为何要用AMB工艺目前功率半导体器件所用的陶瓷基板多为DBC（Direct Bond Copper，直接覆铜）工艺，Al2O3与ZTA等氧化物陶瓷以及AlN可使用DBC技术与铜接合：将无氧铜经热氧化或化学氧化制程于表面产生一Cu2O层，于1065~

2023-03-22 https://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBSi3N4taocijibanza.html

深圳市金瑞欣特种电路技术有限公司

版权所有：深圳市金瑞欣特种电路技术有限公司
备案号：粤ICP备17015422号
电话：19925183597（同微）
邮箱：wangluo@jinruixinpcb.com
地址：深圳市宝安区沙井街道马安山社区马安山鞍胜路 37 号二层

: 扫码加微信

© 2018 深圳市金瑞欣特种电路技术有限公司版权所有技术支持：金瑞欣