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[行业动态]第三代半导体崛起催生封装材料革命：五大陶瓷基板谁主沉浮？

在新能源汽车、5G通信和人工智能的推动下，功率半导体正经历前所未有的技术变革。SiC和GaN等第三代半导体器件的高频、高压特性，对封装基板提出了更严苛的要求——既要承受超高功率密度，又要确保信号完整性。

2025-08-06 https://www.jinruixinpcb.com/Article/disandaibandaotiqicu.html
[行业动态]陶瓷基板技术解析：DBC与AMB的差异与应用选择

在功率电子和半导体封装领域，陶瓷基板作为关键材料，其性能直接影响器件的可靠性和效率。目前市场上主流的两种厚铜陶瓷基板技术——DBC（直接覆铜）和AMB（活性金属钎焊）各具特色。

2025-07-31 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocijibanjishujiexi.html
[行业动态]高性能陶瓷基板：电子封装领域的核心材料革新

在半导体技术飞速发展的当下，电子封装材料的选择直接影响着器件性能的极限。传统塑料封装因导热性能不足难以满足高功率需求，金属封装又面临绝缘性能的挑战

2025-07-24 https://www.jinruixinpcb.com/Article/gaoxingnengtaocijiba.html
[行业动态]氮化硅陶瓷基板：新能源汽车电力电子的散热革新

在新能源汽车快速发展的今天，电力电子系统的性能提升已成为行业竞争的关键。作为核心散热材料的陶瓷基板，其技术演进直接影响着整车的能效和可靠性。

2025-07-17 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanx.html
[行业动态]陶瓷覆铜基板剥离强度测试与性能分析

AMB陶瓷覆铜基板作为一种高性能的电子封装材料，其铜层与陶瓷基板之间的结合强度是衡量其质量的关键指标之一。剥离强度作为表征结合强度的重要参数，能够直观地反映铜层与陶瓷之间的附着力。

2025-06-10 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taocifutongjibanbaol.html
[行业动态]陶瓷PCB电路板：解锁高功率电子设备的未来散热与性能革命

在追求高性能、小型化的电子设备浪潮中，陶瓷PCB电路板正以卓越的导热性、高频稳定性和耐极端环境能力，成为高功率电子设计的核心材料。无论是5G通信基站、新能源汽车的功率模块，还是航空航天设备的精密电路，陶瓷PCB电路板凭借其独特的材料优势，正在重新定义电子设备的可靠性与效率。

2025-02-06 https://www.jinruixinpcb.com/Article/taociPCBdianlubanjie.html
[行业动态]高压大功率IGBT模块首选封装材料——AMB陶瓷基板

绝缘栅双极晶体管（IGBT）是在金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）和双极晶体管的基础上发展起来的一种新型复合功率器件，具有输入阻抗大、驱动功率小、开关速度快、工作频率高、饱和压降低、安全工作区大和可耐高电压和大电流等一系列优点，大规模应用于电动汽车、电力机车里的电机驱动以及并网技术、储能电站、工业领域的高压大电流场合的交直流电转换和变频控制等领域，是电力电子领域中最重要的大功率器件，是绿色经济的核“芯”。

2024-03-18 https://www.jinruixinpcb.com/Article/gaoyadagonglvIGBTmok.html
[行业动态]AMB活性金属钎焊法，陶瓷与金属的完美结合

相比于传统的DBC基板，采用AMB工艺制备的陶瓷基板，不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势；此外，因其加工过程能在一次升温中完成，操作简便、时间周期短、封接性能好并且对陶瓷的适用范围广，所以该工艺在国内外发展较快，成为了电子器件中常用的一种方法。

2023-12-11 https://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBhuoxingjinshuqian.html
[行业动态]Si3N4 DBC和AMB陶瓷基板

随着宽禁带半导体的发展，功率半导体器件往更高的功率密度，更高的芯片温度以及更高的可靠性方向发展，相应地也对于功率半导体模块封装的提出了更高的要求。包括我们前面聊到的无焊料，无键合线等互连技术趋势外，绝缘基板的选择也成为经常讨论的话题。

2023-10-23 https://www.jinruixinpcb.com/Article/Si3N4DBCheAMBtaociji.html
[行业动态]AMB陶瓷基板：高端IGBT模块基板的应用新趋势

IGBT陶瓷衬板属于新的工艺技术，其中AMB工艺技术的陶瓷衬板也逐步应用于新能源汽车的IGBT模块上。IGBT散热对于功率模块的性能是非常重要的，目前国内的IGBT模块大部分还是采用DBC工艺，但随着工作电压、性能要求的不断提升，AMB工艺技术的陶瓷基板能更好地解决上述痛点。

2023-08-02 https://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibangaoduan.html
[行业动态]常见陶瓷基板PCB板介绍

陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面( 单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

2023-06-16 https://www.jinruixinpcb.com/Article/changjiantaocijibanP.html
[行业动态]大功率IGBT功率模块用氮化铝覆铜基板

随着高速铁路、城市轨道交通、新能源汽车、智能电网和风能发电等行业发展，对于高压大功率IGBT模块的需求迫切且数量巨大。由于高压大功率IGBT模块技术门槛较高，难度较大，特别是要求封装材料散热性能更好、可靠性更高、载流量更大。高压大功率IGBT模块所产生的热量主要是通过陶瓷覆铜板传导到外壳而散发出去的，因此陶瓷覆铜板是电力电子领域功率模块封装的不可或缺的关键基础材料。

2023-04-17 https://www.jinruixinpcb.com/Article/dagonglvIGBTgonglvmo.html
[行业动态]AMB陶瓷基板在IGBT上的应用介绍

根据封装结构和应用要求，陶瓷基板可分为平面陶瓷基板和三维陶瓷基板两大类。再根据实现陶瓷基板覆铜后再刻蚀的不同工艺，当前较普遍的陶瓷散热基板分为 HTCC、LTCC、DBC、DPC、AMB 等。AMB 工艺因可靠性更优，逐渐成为主流应用。其中 Al2O3陶瓷基板主要采用 DBC 工艺，AlN 陶瓷基板主要采用DBC 和AMB工艺，Si3N4陶瓷基板更多采用 AMB 工艺

2023-03-08 https://www.jinruixinpcb.com/Article/AMBtaocijibanzaiIGBT.html
[行业动态]高导热氮化硅陶瓷基板产业化进展

要有效解决器件的散热问题，必须选择高导热的基板材料。近年来已经大规模生产的应用较为广泛的陶瓷基板主要有：Al2O3、BeO、SiC、AlN、Si3N4等。

2023-02-17 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaociban.html
[常见问题]铝碳化硅基板是什么，铝碳化硅基板的优缺点

铝碳化硅基板是什么，铝碳化硅基板的优缺点铝碳化硅基板（AlSiC）是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称，又称碳化硅铝或铝硅碳，在轨道机车、飞机、半导体IGBT器件、军工等产品领域被应用。今天小编要分享的是铝碳化硅基板的优缺点：一，铝碳化硅基板的优点1，AlSiC具有高导热率（170～200W/mK），是一般封装材料的十倍，可将芯片产生的热量及时散发，提高整个元器件的可靠性和稳定性2，AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配，可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6/K）能够防止疲劳失效的产生，甚至可以将功率芯片直接安装到AlSiC底板上。3，铝碳化硅基板重量轻，硬度强，抗弯强度高、抗震效果好。在恶劣环境下的首选材料。此外，铝碳化硅基板（AI/SiC）由于具

2022-10-19 https://www.jinruixinpcb.com/Article/lvtanhuaguijibanshis.html
[常见问题]氮化硅陶瓷基板价格以及构成

氮化硅陶瓷基板价格以及构成氮化硅陶瓷基板高抗拉强度，耐磨损，耐高温、在汽车电子、IGBT模块、第三代半导体等器件封装中应用。那么对于要打样加工氮化硅陶瓷基板的客户来说，除了关注交期和产品品质、加工能力，对价格也是非常关注的。今天要分享的是氮化硅陶瓷基板价格以及构成。一，氮化硅陶瓷基板价格氮化硅陶瓷基板加工成覆铜板或者电路板的价格是比较高的，氮化硅陶瓷基板打样一款在5000元以上，打样和批量价格也不同。二，影响氮化硅陶瓷基板价格的因素影响氮化铝陶瓷基板价格的因素很多，首先是板材规格，不同的尺寸、厚度价格也不一样，还有看加工的cps大小，这个会影响板材利用率的，板材利用率低，也就是cps尺寸大，那么基材耗费就高，成本也高，氮化硅基板一张板材的成本就

2022-10-18 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguitaocijibanjc.html
[常见问题]铝碳化硅基板与氮化硅基板的区别

铝碳化硅基板与氮化硅基板的区别铝碳化硅基板在轨道机车、飞机、半导体IGBT器件等产品领域被应用，主要是因为铝基碳化硅基板具备导热率高、热膨胀系数与芯片更匹配，重量轻、密度小、高硬度和高抗弯强度。那么铝碳化硅基板和氮化硅基板有什么区别呢？一，铝碳化硅基板的和氮化硅基板的特点和优势铝基碳化硅基板铝碳化硅（AlSiC）是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称，又称碳化硅铝或铝硅碳。被应用到军工行业领域，有着非常重要的突出优势。1，AlSiC具有高导热率（170～200W/mK），是一般封装材料的十倍，可将芯片产生的热量及时散发，提高整个元器件的可靠性和稳定性2，AlSiC的热膨胀系数与半导体芯片和陶瓷基片实现良好的匹配，可调的热膨胀系数（6.5～9.5×10-6/K）能够防止疲劳失效的产生，

2022-10-08 https://www.jinruixinpcb.com/Article/lvtanhuaguijibanyuda.html
[行业动态]氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展

氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被广泛使用的直接覆铜(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通过共晶键合法制备而成，铜和陶瓷之间没有粘结材料，在高温服役过程中，往往会因为铜和陶瓷(Al2O3或AlN)之间的热膨胀系数不同而产生较大的热应力，从而导致铜层从陶瓷表面剥离，因此传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶

2022-09-13 https://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
[行业动态]铝碳化硅基板为何在IGBT底板应用备受欢迎

铝碳化硅基板为何在IGBT底板应用备受欢迎IGBT模块中的底板发挥着形成导热通道、保证导热性能、增强模块机械性能的作用。底板材料一般用铜或者铝基碳化硅（AlSiC），铝碳化硅基板哪些优势适应了IGBT底板的要求呢？一，什么是铝碳化硅基板（AlSiC），有什么性能特点铝碳化硅（AlSiC）是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称，又称碳化硅铝或铝硅碳。铝碳化硅早期应用于美军机雷达芯片衬底，用于替代钨铜；替代后散热效果优异，并且使雷达整体减重10公斤，这使AlSiC材料得到了重视。二，铝碳化硅基板有以下核心优势1) AlSiC具有高导热率（170～200W/mK），是一般封装材料的十倍，可将芯片产生的热量及时散发，提高整个元器件的可靠性和稳定性。2）AlSiC是复合

2022-09-06 https://www.jinruixinpcb.com/Article/lvtanhuaguijibanweihe.html
[常见问题]amb陶瓷基板用在什么地方

amb陶瓷基板用在什么地方 amb陶瓷基板是活性钎焊工艺陶瓷基板，具有高热导率、耐高温、较低的热膨胀系数、高的机械强度、耐腐蚀以及绝缘性好、抗辐射的优点。在电子器件封装中得到广泛应用，适应半导体器件不断走向大功率，小型化，集成化和多功能方面前进。Amb技术的优势AMB技术是在DBC（直接覆铜法）技术的基础上发展而来的。相比于传统的DBC基板，采用AMB工艺制备的陶瓷基板，不仅具有更高的热导率、更好的铜层结合力，而且还有热阻更小、可靠性更高等优势。Amb陶瓷基板有哪些陶瓷材料根据陶瓷材质的不同，目前成熟应用的AMB陶瓷基板可分为：氧化铝、氮化铝和氮化硅基板。氧化铝amb陶瓷基板考虑到导热系数不高，散热能力有限，但是成本较低，一般用于

2022-07-16 https://www.jinruixinpcb.com/Article/ambtaocijibanyongzai.html