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氮化硅AMB陶瓷基板的制备流程 氮化硅陶瓷基板能量损耗、更容易小型化、更耐高温高压的优势在新能源汽车方面备受欢迎，能起到提速、增加续航里程、汽车轻量化的目的；同时氮化硅AMB陶瓷基板还是SiC器件封装基板的首选，传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求，DBC基板和氮化硅器件，在高温过程中容易产生热应力，导致铜层剥离，采用氮化硅AMB陶瓷基板能够小避免。本文要阐述的是氮化硅AMB陶瓷基板的特点以及制备流程。 一，氮化硅AMB陶瓷基板的特点Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素（Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等）可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶瓷板上。通过活性金属钎焊（AMB
2022-10-19 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuaguiAMBtaocijib.html
氮化硅(Si3N4)-AMB基板最新研究进展 随着第三代SiC基功率模块器件的功率密度和工作温度不断升高，器件对于封装基板的散热能力和可靠性也提出了更高的要求[1,2,3]。以往被广泛使用的直接覆铜(Direct-Bonding-Copper，DBC)陶瓷基板是通过共晶键合法制备而成，铜和陶瓷之间没有粘结材料，在高温服役过程中，往往会因为铜和陶瓷(Al2O3或AlN)之间的热膨胀系数不同而产生较大的热应力，从而导致铜层从陶瓷表面剥离，因此传统的DBC陶瓷基板已经难以满足高温、大功率、高散热、高可靠性的封装要求[4,5]。而Si3N4-AMB覆铜基板则是利用活性金属元素(Ti、Zr、Ta、Nb、V、Hf等)可以润湿陶瓷表面的特性，将铜层通过活性金属钎料钎焊在Si3N4陶
2022-09-13 http://www.jinruixinpcb.com/Article/danhuagui(Si3N4)-AMB.html
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